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| + | [[Fichier:SMH.png|610px|link=http://icube-smh.unistra.fr/fr/index.php/Accueil]] | ||
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| + | * Filière photovoltaïque Silicium et Organique '''complète''' / Electronique organique | ||
| + | * Large spectre de '''faisceaux d’ions''', installation unique dans le Grand Est et à l'INSIS | ||
| + | * Implantation/irradiation ions lourds à haute énergie | ||
| + | * Regroupement de moyens importants sur '''un seul site''' | ||
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| + | C<sup>3</sup>-Fab est ouverte à tout partenaire (aussi bien interne à l’institut qu’extérieur) souhaitant bénéficier de l'expertise et du potentiel pour développer des programmes de recherche ou optimiser de nouveaux concepts dans le cadre d'une '''collaboration scientifique''' ou de '''prestation de service'''. | ||
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Version actuelle datée du 1 juillet 2020 à 18:50
La Plate-forme C3-Fab offre des moyens l’élaboration et de développement de procédés innovants pour la réalisation de composants élémentaires ainsi que leur caractérisation. Ces développements reposent sur des moyens lourds :
- des moyens pour la mise en œuvre de faisceaux d’ions de quelques keV à quelques MeV (accélérateur et implanteur / plateforme ACACIA)
- une salle blanche pour l’élaboration de dispositifs ou composants inorganiques
- des boites à gants dédiées à l’électronique organique
- des moyens de caractérisation morphologique, structurelle, optique des matériaux
- des moyens plus spécifiques pour tester et caractériser des composants élémentaires et des systèmes intégrés.
L'équipe MaCEPV est la principale utilisatrice de la plateforme C3-Fab. Ses équipements permettent de mener à bien de nombreux projets dans le domaine des micro et nanotechnologies, du photovoltaïque et des capteurs ; ils couvrent un large spectre d’études allant de la physique des matériaux jusqu’à l’élaboration de dispositifs démonstrateurs.
Originalité/Points forts :
- Démarche bottom-up et top-down
- Développement de procédés
- Filière photovoltaïque Silicium et Organique complète / Electronique organique
- Large spectre de faisceaux d’ions, installation unique dans le Grand Est et à l'INSIS
- Implantation/irradiation ions lourds à haute énergie
- Regroupement de moyens importants sur un seul site
Offre
C3-Fab est ouverte à tout partenaire (aussi bien interne à l’institut qu’extérieur) souhaitant bénéficier de l'expertise et du potentiel pour développer des programmes de recherche ou optimiser de nouveaux concepts dans le cadre d'une collaboration scientifique ou de prestation de service.
Réseaux
Elle est intégrée dans un certain nombre de réseaux ; les équipements d'implantation ionique et la filière photovoltaïque Silicium sont labélisés par le réseau national des centrales de technologie du CNRS ([RENATECH]) et rattachés au réseau Grand-Est coordonné par la centrale FEMTO-ST de Besançon.
